Samsung bereikt 50% opbrengst met HBM4 op 1c‑DRAM, schaalt capaciteit met High‑NA EUV en start een geheugenlijn. SK hynix levert HBM3E aan NVIDIA Blackwell.
© RusPhotoBank
Volgens TweakTown heeft Samsung een opbrengst van 50% bereikt bij HBM4 op basis van 1c-DRAM en wordt de productiecapaciteit actief opgeschaald voor HBM4 en HBM4E. Bronnen melden dat het bedrijf vijf van ASML's nieuwste High-NA EUV-lithografiesystemen heeft gekocht: twee voor de foundry-divisie en drie specifiek voor geheugen. Die verdeling is veelzeggend en wijst op een uitgesproken focus op HBM.
Industriekenners stellen dat Samsung in feite een dedicated geheugenlijn opzet, een stap die de massaproductie van HBM4 moet versnellen en tegelijk de basis legt voor HBM4E en HBM5. In de fabriek in Pyeongtaek draait de DRAM-activiteitenlijn momenteel rond de 300.000 wafers per maand en zit de capaciteit dicht tegen de grens. Een deel van de nieuwe apparatuur kan, zodra extra orders van belangrijke Noord-Amerikaanse klanten binnenkomen, worden doorgeschoven naar de fabriek in Taylor (Texas), waardoor de opschaling wendbaar blijft — precies het soort flexibiliteit dat in deze markt vaak het verschil maakt.
Ondertussen blijft rivaal SK hynix voorop, met leveringen van HBM3 en HBM3E aan NVIDIA voor Blackwell‑GPU’s. Analisten verwachten dat Samsungs versnelde investeringen in HBM de concurrentie in het segment voor high-performance geheugen merkbaar zullen aanjagen, wat de strijd om marktaandeel verder zal aanscherpen.