HBF: Samsungs høybåndbredde-flash for AI og datasentre
Samsung utvikler High Bandwidth Flash (HBF) for AI og datasentre. Les om retninger, fordeler og risiko, og hvordan Z-NAND kan styrke selskapets posisjon.
Samsung utvikler High Bandwidth Flash (HBF) for AI og datasentre. Les om retninger, fordeler og risiko, og hvordan Z-NAND kan styrke selskapets posisjon.
© A. Krivonosov
Det sørkoreanske mediet fnnews melder at Samsung Electronics har startet tidlig utvikling av High Bandwidth Flash (HBF) – en ny type høyhastighets flashminne rettet mot datasentre og kunstig intelligens. Selskapet er i gang med konseptdesign og innledende forskning, mens nøyaktige spesifikasjoner og tidsplan for lansering ennå ikke er bestemt.
I bransjen tegner det seg samtidig to retninger for HBF. Den ene er den såkalte «NAND‑versjonen av HBM», først foreslått av SanDisk og støttet av SK Hynix. Den andre kommer fra Kioxia og er tidligere vist som en PCIe‑enhet med flerterabyte kapasitet og høy gjennomstrømning. Et slikt todelt spor gjør valget alt annet enn trivielt for Samsung, og foreløpig er det uvisst hvilken kurs selskapet velger.
På skalaen moderne AI opererer, blir tradisjonelle NAND‑baserte SSD‑er stadig oftere en flaskehals: de henger etter når enorme datamengder skal flyttes under tunge arbeidslaster. Derfor leter leverandører etter mellomlag mellom NAND og DRAM. Her kan Samsungs egen Z‑NAND vise seg nyttig i MLS/SLM‑laget og gi en praktisk balanse mellom fart og pålitelighet.
Med dette som bakteppe seiler HBF opp som neste sterke front i lagringsmarkedet. De ledende minneaktørene forsøker å sikre posisjonene sine før etterspørselen etter infrastruktur topper seg. Retningen virker tydelig: den som først bygger en troverdig, ende‑til‑ende‑stakk, får stor innflytelse på hvordan kategorien modnes.
Ser man på detaljene som er kjent, kan inntoget i høybåndbredde‑flash gi Samsung et reelt fortrinn i AI‑infrastruktur. Selskapet har allerede flere byggeklosser på plass – Z‑NAND, en komplett kjede for produksjon og pakking av minne, samt et solid fotfeste i økosystemer for AI‑servere – noe som gjør det enklere å snu seg raskt og levere integrerte produkter for datasentre.
Samtidig er risikoen tydelig. Flash ligger fortsatt bak DRAM i både latenstid og pålitelighet. Markedet vil trenge standardisering og bred støtte i økosystemet, mens konkurrenter som SanDisk og SK Hynix driver fram egne design. Termiske begrensninger og kostnader kan dessuten bremse innføringen. Hvor vellykket Samsung blir, avhenger av om selskapet kan overgå alternative veier – fra CXL‑moduler til AI‑SSD‑er.