Intel wdraża High‑NA EUV: skaner ASML Twinscan EXE:5200B trafił do produkcji procesu 14A. Rozdzielczość 8 nm, 175 płytek/h, overlay 0,7 nm – krok do przewagi.
© A. Krivonosov
Intel uruchomił oficjalnie pierwsze w branży komercyjne narzędzie EUV o wysokiej aperturze (High‑NA) — ASML Twinscan EXE:5200B. Nowy skaner litograficzny przeszedł wstępne testy i posłuży do opracowania procesu Intel 14A, który ma być pierwszym na świecie węzłem wykorzystującym High‑NA EUV na kluczowych warstwach.
Zbudowany na platformie EXE:5000, którą Intel otrzymał w 2023 roku do swojego ośrodka badawczego w Oregonie, model EXE:5200B idzie o krok dalej. Dzięki aperturze numerycznej 0,55 zapewnia rozdzielczość do 8 nm, eliminując złożone wielokrotne patternowanie, którego często wymagają standardowe skanery EUV o rozdzielczości rzędu około 13 nm.
Jeśli chodzi o wydajność, EXE:5200B jest w stanie obrabiać do 175 płytek krzemowych na godzinę przy dawce ekspozycji 50 mJ/cm² i osiąga dokładność overlay na poziomie 0,7 nm. To liczby, które nabierają znaczenia, gdy branża zmierza w stronę elementów poniżej nanometra, gdzie nawet drobne niedopasowanie natychmiast uderza w uzysk.
Aby osiągnąć te parametry, ASML i Intel wzmocniły źródło światła EUV i przeprojektowały kluczowe podsystemy. Szczególną uwagę poświęcono transportowi i magazynowaniu płytek: zaktualizowana architektura lepiej utrzymuje stabilne warunki termiczne, tłumiąc jednocześnie wibracje mechaniczne i cieplne. W praktyce przekłada się to na mniejsze dryfowanie ustawień podczas długich serii i rzadsze przestoje na rekalibrację.
Intel podkreśla, że wdrożenie High‑NA EUV powinno uprościć reguły projektowe, ograniczyć liczbę kroków litograficznych i masek, skrócić cykl produkcyjny oraz zwiększyć całkowitą przepustowość w procesie 14A i kolejnych. Równolegle firma dopracowuje fotomaski, procesy trawienia, metody poprawy rozdzielczości oraz metrologię, aby w pełni wykorzystać potencjał nowej litografii.
W szerszym ujęciu instalacja Twinscan EXE:5200B pokazuje, że High‑NA EUV przechodzi z kategorii sprzętu eksperymentalnego do narzędzia gotowego do dużych wolumenów. To ruch, który może stać się ключowym elementem strategii Intela w drodze po odzyskanie technologicznego przywództwa w półprzewodnikach.