Samsung ma 50% uzysku HBM4 w 1c DRAM, kupuje systemy ASML High‑NA EUV i uruchamia dedykowaną linię HBM4/HBM4E. SK hynix prowadzi nadal z HBM3E dla NVIDII.
© RusPhotoBank
Jak podaje TweakTown, Samsung osiągnął 50% uzysku przy HBM4 produkowanym w technologii 1c DRAM i aktywnie zwiększa moce pod masową wytwórczość HBM4 oraz HBM4E. Źródła twierdzą, że firma kupiła pięć najnowszych systemów litografii High‑NA EUV od ASML: dwa mają trafić do działalności foundry, a trzy wyłącznie do pamięci — podział, który wyraźnie pokazuje przesunięcie akcentu na HBM.
Branżowi eksperci oceniają, że Samsung de facto buduje dedykowaną linię pamięci — krok, który powinien przyspieszyć masową produkcję HBM4 i przygotować grunt pod HBM4E oraz HBM5. Obecnie operacje DRAM w fabryce w Pyeongtaek dostarczają około 300 tys. wafli miesięcznie, a moce są bliskie granic. Część nowych maszyn mogłaby zostać przekierowana do zakładu w Taylor w Teksasie, jeśli pojawią się dodatkowe zamówienia od kluczowych klientów z Ameryki Północnej — to sposób, by tempo rozbudowy utrzymać elastyczne.
Tymczasem główny rywal, SK hynix, pozostaje na prowadzeniu, zaopatrując NVIDIĘ w HBM3 i HBM3E dla układów Blackwell. Analitycy uważają, że zintensyfikowane inwestycje Samsunga w HBM nieuchronnie podgrzeją rywalizację na rynku pamięci wysokiej wydajności, zapowiadając ciaśniejszy wyścig.