Exynos 2600 z litografii 2 nm GAA: wyniki Geekbench i plany dla Galaxy S26

Samsung szykuje wyraźny krok naprzód we własnych mobilnych układach. Według świeżych przecieków nowy Exynos 2600, wytwarzany w procesie 2 nm z tranzystorami Gate-All-Around (GAA), uzyskał w Geekbench 4 217 punktów w teście jednowątkowym i 13 482 w wielowątkowym. To rezultaty zbliżone do wydajności Apple M5 i przewyższające Snapdragon 8 Elite Gen 5, co plasuje chip w ścisłej czołówce mobilnych rozwiązań. Jeśli liczby się potwierdzą, wrażenie jest jasne: różnica do liderów wreszcie realnie się kurczy.

Procesor korzysta z układu 1+3+6: jeden rdzeń pracuje z częstotliwością 4,2 GHz, trzy rdzenie wydajnościowe sięgają 3,56 GHz, a sześć energooszczędnych działa przy 2,76 GHz. Taki zestaw ma łączyć moc obliczeniową z rozsądnym apetytem na energię. Dzięki technologii GAA, ograniczającej upływ prądu i poprawiającej stabilność, Exynos 2600 ma być nie tylko szybszy, ale też bardziej oszczędny od poprzedników — co brzmi jak właściwa odpowiedź na dotychczasowe bolączki tej linii.

Nieoficjalnie mówi się, że Exynos 2600 trafi do smartfonów Galaxy S26 przeznaczonych na Europę i Koreę Południową, podczas gdy w Stanach Zjednoczonych, Chinach i Japonii Samsung prawdopodobnie pozostanie przy Snapdragonie 8 Elite Gen 5. Sam fakt wprowadzenia 2-nanometrowego, własnego układu do flagowców wybrzmiewa jednak jako ruch strategiczny: ogranicza zależność od Qualcomma i wzmacnia pozycję Samsung Foundry w rywalizacji z TSMC.