У Samsung готовы первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET
Об этом сообщает корейское агентство Maeil Economy.
Дмитрий Новиков
В то время, как компания TSMC инвестирует в создание чипов по 5-нм технологии, корейский Samsung уже добился успехов в разработке 3-нм транзисторов. Как отмечает источник, это очередной шаг компании на пути к статусу крупнейшего производителя полупроводников.
Напомним, ключом к переходу на 3-нм техпроцесс стало использование технологии GAAFET, которая придёт на смену текущей FinFET. Новая технология позволяет уменьшить площадь кристалла на 35% по сравнению с FinFET, снизить его энергопотребление на 50% и увеличить производительность чипа на 33%.
При этом будущий Apple iPhone 12 будет иметь чип Apple A14, который построен по 5-нм техпроцессу. Так или иначе, гонка в сфере технологий продолжается, а это, как известно, только на руку потребителям.