Разное

В КНР приблизились к собственному производству чипов

Исследователи из Китайской академии наук (CAS) создали в лабораторных условиях твердотельный источник лазера глубокого ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм, который используется в фотолитографии для производства полупроводников. Эта технология может полностью изменить создание инструментов для литографии, применяемых при изготовлении микросхем с использованием передовых технологических процессов.

В отличие от традиционных DUV литографических машин, используемых компаниями ASML, Canon и Nikon, которые генерируют 193-нм луч с помощью газового эксимерного лазера на смеси аргона и фтора, новая система CAS полностью избегает использования газов. Вместо этого она создаёт лазер на кристалле Yb:YAG с длиной волны 1 030 нм. Затем он проходит два оптических пути, в каждом из которых происходят преобразования для создания компонентов, необходимых для генерации света с длиной волны 193 нм.

Таким образом, система CAS демонстрирует способность генерировать 193-нм луч с помощью твердотельного лазера со средней мощностью 70 мВт и частотой 6 кГц, достигая узкой линии спектра ниже 880 МГц. Однако низкая мощность выходного сигнала делает систему непригодной для коммерческого производства полупроводников, где требуются высокая пропускная способность и стабильность процесса.

В перспективе, учёные смогут увеличить мощность до требуемого уровня и наладят собственное производство полупроводников.

Ранее издание Пепелац Ньюс сообщало, что камеры Insta360 станут лучше снимать видео.