Huawei готовит революцию в полупроводниках: 3-нм GAA-чипы и переход к новым материалам.
СМИ: Huawei нашла способ выпускать 3-нм чипы
Фото: © A. Krivonosov
Китайский технологический гигант Huawei намерен совершить прорыв в полупроводниковой отрасли, начав разработку 3-нм чипов с архитектурой GAA (Gate-All-Around) — шаг, который может радикально изменить расстановку сил на мировом рынке. Согласно информации Taiwan Economic Daily, компания уже приступила к исследованиям в этой области после успеха собственных 5-нм чипов Kirin X90, произведённых на мощностях SMIC.
Отличительной особенностью подхода Huawei является использование двумерных материалов для создания каналов транзисторов вместо традиционного кремния. Это новаторское решение обещает улучшенную производительность и более низкое энергопотребление. До сих пор такой архитектурой в 3-нм техпроцессе могла похвастаться только Samsung Foundry, что вызывает слухи о возможном сотрудничестве между двумя компаниями.
Кроме того, Huawei ведёт параллельную разработку новой 3-нм архитектуры, основанной на углеродных нанотрубках — потенциальной замене кремниевых транзисторов и соединений. Это ещё один признак того, что компания готова инвестировать в радикальные технологии, которые могут изменить основы полупроводниковой индустрии.
Ожидается, что тейп-аут новых чипов состоится к 2026 году, и хотя проект находится на ранней стадии, успехи Huawei в 5-нм сегменте вселяют уверенность в реалистичности этих амбиций. В условиях геополитической напряжённости и санкционного давления Huawei стремительно трансформируется в игрока, способного конкурировать с ведущими мировыми чипмейкерами, и следующая глава технологической гонки уже на горизонте.
Ранее издание Пепелац Ньюс сообщало, что Apple расширила программу частного ремонта на iPad.