Galaxy S26 Edge с чипом Snapdragon 8 Elite Gen 2 набрал 3 393 и 11 515 баллов в Geekbench.
Чип Snapdragon 8 Elite Gen 2 в Galaxy S26 Edge показал себя в тестах
Фото: © A. Krivonosov
В базе Geekbench засветился будущий флагман Samsung Galaxy S26 Edge с новым чипсетом Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2, набрав впечатляющие 3 393 балла в одноядерном и 11 515 в многоядерном тестах. Устройство работает на Android 16, оснащено 12 Гб ОЗУ и графикой Adreno 840.
Процессор построен по схеме «2+6» и использует производительные ядра с частотой до 4,74 ГГц и энергоэффективные на частоте 3,63 ГГц. Повышенные частоты стали возможны благодаря переходу на 3-нм техпроцесс TSMC N3P, обеспечивающий лучшую энергоэффективность. Однако, по данным инсайдеров, в тестах производительные ядра Galaxy S26 Edge работали на 4,0 ГГц, что могло слегка снизить результат.
В AnTuTu этот чип уже набрал около 3,8 млн баллов, что на 40,7% выше, чем у предыдущего лидера на Snapdragon 8 Elite. При этом Geekbench не отражает устойчивость производительности при длительных нагрузках, поэтому реальные показатели в играх и сложных задачах будут зависеть от охлаждения и троттлинга.
Galaxy S26 Edge получит 6,7-дюймовый экран и тонкий корпус. Возможна и более высокая производительность в будущих тестах, особенно у старшей версии Galaxy S26 Ultra. Анонс чипа Snapdragon 8 Elite Gen 2 ожидается на Snapdragon Summit 23 сентября.
Ранее издание Пепелац Ньюс сообщало, что новая GeForce RTX 5060 Ti от Zephyr получила компактные размеры и цельнометаллический радиатор.