Samsung планирует к 2031 году внедрить 1-нанометровый техпроцесс с технологией «вилка».
Полупроводник мечты: Samsung увеличивает плотность транзисторов на 1-нм чипах
Фото: © RusPhotoBank
Samsung продолжает активно развивать литографические технологии, и уже к 2031 году компания планирует представить 1-нанометровый техпроцесс, который называют «полупроводником мечты». На данный момент ведутся научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, которые должны завершиться к 2030 году. Новая технология позволит разместить больше транзисторов на одной и той же площади за счет метода «вилки», добавляющего непроводящую перегородку между элементами GAA.
Текущие 2-нм процессы Samsung используют технологию Gate-All-Around (GAA), которая увеличивает энергоэффективность, расширяя тракты с трех полос до четырех. В 1-нм узле использование GAA без модификаций будет менее эффективным, поэтому компания внедряет схему разветвления с «вилкой», чтобы максимально увеличить плотность транзисторов. По сути, это похоже на архитектурное уплотнение зданий: свободное пространство сокращается, а новые структуры занимают его для размещения большего числа элементов.
Ранее Samsung планировала 1,4-нм техпроцесс, однако его выпуск был отложен до 2028 года, вероятно, чтобы сосредоточиться на развитии 2-нм технологий. Технология «вилка» может стать решением прежних производственных трудностей, но окончательная эффективность и масштабируемость 1-нм процесса станут известны только с началом массового производства.
Помимо этого, Samsung продолжает решать проблемы энергоэффективности своих SoC, таких как Exynos 2600. В частности, этот чип потребляет до 30 Вт при тестах Geekbench 6, что сокращает автономность устройств по сравнению с конкурентами на Snapdragon. Переход к усовершенствованным 2-нм процессам и дальнейший запуск 1-нм технологии должны помочь устранить эти недостатки и подготовить платформу для будущих мобильных процессоров.