Samsung активизирует запуск 2-нм производства и расширяет выпуск DRAM для HBM-памяти нового поколения.
Чипы будущего уже близко: Samsung запускает новые мощности на фоне ИИ-бума
Фото: © A. Krivonosov
Samsung Electronics усиливает развитие полупроводникового направления, реагируя на стремительный рост спроса на вычислительные мощности в эпоху искусственного интеллекта. По данным корейских СМИ, компания одновременно продвигает проекты как в сегменте логических чипов, так и в области памяти.
В США, на заводе в Тейлоре, штат Техас, стартовала пробная эксплуатация 2-нм производственной линии. Уже начато тестирование EUV-литографического оборудования, а также поэтапно вводятся установки для травления и нанесения слоев. Ожидается, что начальный запуск состоится в текущем году, а полноценное массовое производство намечено на 2027 год.
Параллельно компания наращивает мощности в сегменте памяти. На площадке Пхёнтхэк размещены крупные заказы на оборудование для этапов PH2 и PH4 кластера P4. Эти линии будут выпускать DRAM по техпроцессу 1c нм, ориентированную на поддержку HBM4, HBM4E и даже будущего стандарта HBM5.
Инвестиции в первый этап (PH1) уже завершены, а установка оборудования для PH3 практически окончена. Ожидается, что в течение года производственные мощности достигнут 13–14 тысяч пластин в месяц. Следующие этапы развиваются ускоренными темпами: PH4 перейдет к установке оборудования уже в мае—июне, а PH2 находится на стадии строительства чистых помещений с завершением работ, запланированным на начало 2027 года.