Samsung работает над новой технологией памяти для смартфонов и планшетов, которая может заметно повысить производительность встроенного искусственного интеллекта. Речь идет о высокоскоростной памяти HBM, которая сегодня в основном используется в серверах и мощных ИИ-ускорителях.
Согласно свежему отчету, компания адаптирует HBM специально под мобильные устройства, поскольку традиционные версии таких чипов слишком требовательны к пространству, охлаждению и энергопотреблению. Samsung планирует использовать усовершенствованную упаковку с технологией Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP), которая уже применяется в современных мобильных процессорах.
Главная задача — обеспечить высокую пропускную способность памяти без критического роста температуры и энергопотребления. Для этого Samsung разрабатывает новую схему вертикального расположения кристаллов памяти с использованием сверхтонких медных столбиков. По данным источников, компания смогла значительно увеличить плотность соединений, что позволит повысить скорость передачи данных примерно на 30%.
Технология HBM способна заметно ускорить локальную обработку ИИ-задач на смартфонах — от генерации изображений и работы голосовых ассистентов до сложных функций обработки видео и текста без обращения к облачным серверам.
По слухам, первой платформой Samsung с подобной памятью может стать будущий процессор Exynos 2800 или более поздний Exynos 2900. Также сообщается, что аналогичные технологии изучают Apple и Huawei.
Однако массовое внедрение HBM в смартфоны пока остается дорогим решением. Стоимость мобильной DRAM продолжает расти, поэтому производители будут осторожно подходить к использованию таких компонентов в потребительских устройствах.