Applied Materials представила установку по производству 3-нм чипов
С его помощью 3-нм техпроцессы Samsung и TSMC станут реальностью.
Павел Степанцов
В рамках мероприятия Applied 2021 Logic американская компания Applied Materials представила свою новую разработку — станок для производства 3-нанометровых чипов, который поможет воплотить в жизнь идеи Samsung и TSMC, что сам по себе серьезный шаг на пути к борьбе с тотальным дефицитом полупроводниковой продукции.
Речь идёт об установке установку Endura Copper Barrier Seed IMS. Это уникальная система с 9 камерами для поэтапного создания структур на кремни на 300-милиметровых пластинах для производства микросхем. Главной особенностью данной установки является то, что она создает на кристалле соединительные линии для связи всех элементов микросхемы в единую электронную схему.
В Applied Materials уверены, что переход от литья семи и пяти-нанометровых чипов к 3-нм может помочь в решении вопроса тотального дефицита полупроводников.