Аналитики TrendForce назвали десять тенденций в сфере высоких технологий на 2022 год
Первой названа разработка дисплеев micro-LED и mini-LED.
Евгений Карапузов
На сайте аналитической компании TrendForce опубликовали прогноз, в котором названы 10 основных тенденций, которые, как ожидается, будут иметь место в различных сегментах отрасли высоких технологий уже в следующем году.
Первой названа разработка дисплеев micro-LED и mini-LED. Как считают эксперты, «существенное количество технических узких место в разработке micro-LED все еще сохранится в 2022 году», из-за чего затраты на производство данных дисплеев останутся «заоблачными». Аналитики также уверены, что «более передовая технология AMOLED и камеры под дисплеем откроют новый этап революции смартфонов». Розничные цены на складные устройства будут в пределах цен на обычные флагманы, что приведет к росту продаж.
В полупроводниковом производстве определяющим будет освоение норм 3 нм. Компания TSMC на данном этапе продолжает делать ставку на технологии транзисторов FinFET, а Samsung перейдет на GAA. Постепенно начнется и массовое производство памяти DDR5, а количество слоев во флеш-памяти NAND превысит 200. Что касается мобильных сетей, операторы запустят больше пробных проектов для сегментирования сетей 5G SA и приложений с малой задержкой. Спутниковые операторы будут конкурировать на рынке низкоорбитальных спутников, а 3GPP включит стандарт Release 17 Protocol Coding Freeze «неназемные» сети.
Кроме того, ожидается, что технологии интернета вещей станут базой «метавселенной», которая представляется как «интеллектуальное, полное, безопасное отображение физического мира в реальном времени». Производители оборудования AR и VR будут стремиться обеспечить полное погружение за счет интеграции дополнительных датчиков и обработки данных по алгоритмам ИИ. Автоматизированная парковка станет неотъемлемой частью высококлассных транспортных средств, а стимулируемая ростом спроса на элементную базу для электромобилей полупроводниковая промышленность третьего поколения будет двигаться к использованию 200-миллиметровых пластин SiC и GaN и к новым технологиям корпусировки.