Учёные из США предложили технологию создания транзисторов с потенциально лучшими характеристиками
Такой подход поможет справиться с «концом техпроцессов».
Борис Наумкин
На портале semiconductor-digest.com появился любопытный материал, где ученые из США предложили технологию создания транзисторов с потенциально лучшими характеристиками, чем у действующих решений. Подобный подход может обеспечить рост производительности процессоров, даже при «конце техпроцессов», которое наблюдается в данную эпоху.
Исследователи из Университета Пёдью (США, штат Индиана) предположили, что усилительный принцип переноса электронов через сверхрешётку также будет работать применительно к транзисторам, в том случае если сверхрешётку из чередующихся полупроводниковых материалов поместить на пути движения потока электронов от одного затвора к другому. Так и родилась концепция каскадного полевого транзистора CasFET. Подобное уже было описано в 1971 году советскими физиками Казариновым и Сурисом в статье «Возможности усиления электромагнитных волн в полупроводниках со сверхрешеткой», так что можно считать, что идею подсмотрели.
Уточняется, что американские ученые уже подали заявку на патент, фактически не создав ни одного такого транзистора.