Samsung приступила к массовому производству 14-нанометровой памяти DRAM DDR5 с применением EUV
Об этом сообщает пресс-служба южнокорейского производителя электроники.
Дмитрий Новиков
Согласно опубликованным данным, компания Samsung приступила к серийному производству 14-нм памяти DRAM стандарта DDR5 с применением фотолитографии EUV. Как отметили в пресс-службе производителя, это наиболее технологичный процесс изготовления оперативной памяти.
Сообщается, что технология EUV обеспечивает максимальную плотность хранения данных, которая примерно на 20% превышает объём предыдущей технологии. А благодаря использованию 14-нм техпроцесса, энергопотребление такой памяти сокращается на 20%.
Ожидается, что новая оперативная память может обладать «беспрецедентной скоростью» — до 7,2 Гбит/сек против 3,2 Гбит/сек у DDR4. Однако сейчас память стандарта DDR5 будет производиться только для центров обработки данных, корпоративных серверов и суперкомпьютеров.