Евгений Карапузов
Компания SK Hynix заявила, что стала первой в отрасли, кто успешно разработал память HBM3. Стоит отметить, что массовое производство HBM2E стартовало лишь в июле 2020 года, и на данный момент на рынке практически нет продуктов с использованием такой памяти.
Говоря о HBM3, пропускная способность на стек тут достигает 819 Гб/с, что на 78% больше, чем у HBM2E. Для примера, если CPU будет связан с четырьмя такими стеками 4096-разрядной шиной, то суммарная пропускная способность составит сумасшедшие 3,276 ТБ/с.
Представители компании подчеркнули, что стеки HBM3 будут поставляться в двух модификациях объемом 16 либо 24 Гб. Во втором случае это будет максимум для отрасли. Для стека емкостью 24 Гб специалисты SK Hynix ограничили высоту микросхем DRAM примерно до 30 микрометров, что эквивалентно трети толщины бумаги A4, прежде чем вертикально сложить 12 микросхем с использованием технологии сквозных кремниевых переходов.