Специалистам Принстонской лаборатории физики плазмы министерства энергетики США удалось повысить эффективность производства микрочипов при помощи моделирования физических процессов производства. Результаты исследования были опубликованы в Journal of Vacuum Science & Technology B.
![_-1_2.[6]](https://pepelac.news/uploads/images/2022/03/10/_-1_2.%5B6%5D.png)
Как стало известно, в работе был использован процесс атомно-слоевого травления кремния с попеременным воздействием газообразного хлора и ионов аргоновой плазмы. Такое решение позволяет экспертам удалять атомные слои с поверхности. Более того, изученная технология подходит для вытравливания трехмерных структур на кремниевой пластине.
![_-1_1.[11]](https://pepelac.news/uploads/images/2022/03/10/_-1_1.%5B11%5D.png)
Созданную в рамках исследования модель сравнили с экспериментальными данными. По словам ученых, наблюдалось значительное соответствие полученных данных. Углубленное понимание подобных процессов ускорит разработку микроэлектроники, которую можно применять в самых различных областях.