Qualcomm vizează 2 nm GAA la Samsung pentru Snapdragon 8 Elite Gen 5

Qualcomm se pregătește să-și regândească modul în care produce cipurile sale de top, orientându-se spre o strategie duală de fabricație (dual-foundry). La CES 2026, a ieșit la iveală că firma poartă discuții cu Samsung pentru a realiza Snapdragon 8 Elite Gen 5 pe un proces GAA de 2 nm — un viraj care sugerează o aprovizionare mai elastică și un plus de flexibilitate în lanțul de producție.

Directorul general Cristiano Amon le-a spus jurnaliștilor că, dintre mai mulți potențiali producători pe contract, compania a început negocieri cu Samsung Electronics pentru utilizarea celei mai noi tehnologii de 2 nm. El a mai precizat că proiectarea cipului a fost finalizată, cu țintă spre o comercializare rapidă — semn că fereastra de lansare este tratată cu prioritate.

Samsung folosește deja tehnologia GAA de 2 nm pentru producția în serie a Exynos 2600. Deși randamentele inițiale sunt estimate la aproximativ 50%, compania dă semne că accelerează: în ultimul an a obținut mai multe contracte consistente, între care un acord de 16,5 miliarde de dolari cu Tesla, dar și comenzi pentru hardware de inteligență artificială și pentru zona cripto. Laolaltă, aceste reușite sugerează o stabilizare atât pe nodurile de proces cele mai noi, cât și pe cele ajunse la maturitate.

Potrivit surselor din industrie, Samsung intenționează să aloce aproximativ 10% din capacitatea fabricii Hwaseong S3 pentru producția Snapdragon 8 Elite Gen 5. Un astfel de volum ar putea genera pe termen scurt venituri de circa 470 de milioane de dolari.

Prețul înclină, la rândul său, balanța spre Samsung: plachetele pe 2 nm sunt estimate la aproximativ 20.000 de dolari, în timp ce ofertele comparabile de la TSMC s-ar apropia de 30.000 de dolari. O diferență care face din producătorul coreean un partener mai atrăgător pentru Qualcomm, cu atât mai mult cu cât costul siliciului de vârf continuă să urce.