Intel tar High‑NA EUV i drift: ASML Twinscan EXE:5200B för 14A‑noden

Intel har officiellt tagit i drift branschens första kommersiella High‑NA EUV‑verktyg — ASML Twinscan EXE:5200B. Den nya litografiskannern har avslutat sina inledande tester och ska användas för att utveckla processen Intel 14A, som är tänkt att bli den första noden globalt som tillämpar EUV med hög numerisk apertur i kritiska lager.

Bygger på EXE:5000‑plattformen som Intel tog emot 2023 till sitt forskningscenter i Oregon, men EXE:5200B tar tydligt nästa steg. Med en numerisk apertur på 0,55 levererar systemet upp till 8 nm upplösning och skär därmed bort den komplexa multipatterning som konventionella EUV‑skannrar — vanligtvis kring 13 nm — ofta kräver.

I fråga om genomströmning kan EXE:5200B bearbeta upp till 175 wafers per timme vid en exponering på 50 mJ/cm² och når en overlay‑noggrannhet på 0,7 nm. Det är nivåer som spelar stor roll när branschen rör sig mot element under nanometern, där minsta felpassning direkt äter upp utbytet.

För att nå dit har ASML och Intel förstärkt EUV‑ljuskällan och byggt om centrala delsystem. Transport och lagring av wafers fick särskild uppmärksamhet: den uppdaterade arkitekturen håller en stabilare termisk miljö samtidigt som mekaniska och termiska vibrationer dämpas. I praktiken innebär det mindre drift i parametrar under långa körningar och färre avbrott för omkalibrering.

Intel framhåller att införandet av High‑NA EUV bör förenkla designreglerna, minska antalet litografisteg och masker, korta tillverkningens ledtider samt höja den övergripande takten för 14A‑processen och det som följer. Samtidigt fintrimmar bolaget fotomasker, etsprocesser, metoder för upplösningsförbättring och mätteknik för att plocka ut full effekt av den nya litografin.

Tillsammans signalerar installationen av Twinscan EXE:5200B att High‑NA EUV nu tar steget från experimentell utrustning till högvolymproduktion — ett drag som kan bli en central pusselbit i Intels ambition att återta det tekniska ledarskapet inom halvledare.