Samsung utvecklar High Bandwidth Flash (HBF) för AI-datacenter
Samsung utvecklar High Bandwidth Flash (HBF) för AI-datacenter: jämförelse av angreppssätt, Z-NANDs roll samt risker och konkurrens från SK Hynix och Kioxia.
Samsung utvecklar High Bandwidth Flash (HBF) för AI-datacenter: jämförelse av angreppssätt, Z-NANDs roll samt risker och konkurrens från SK Hynix och Kioxia.
© A. Krivonosov
Det sydkoreanska mediet fnnews uppger att Samsung Electronics har inlett ett tidigt utvecklingsarbete med High Bandwidth Flash (HBF) – en ny typ av höghastighets‑flashminne riktad mot datacenter och AI‑system. Bolaget har tagit steget till konceptdesign och inledande forskning, medan exakta specifikationer och tidsplaner för lansering ännu inte är fastslagna.
I branschen tar två angreppssätt på HBF form. Det ena beskrivs som en NAND‑variant av HBM, först föreslagen av SanDisk och stödd av SK Hynix. Det andra kommer från Kioxia och har tidigare visats som en PCIe‑enhet med kapacitet i multiterabyte‑klassen och högt dataflöde. Den dubbla spårningen ställer Samsung inför ett strategiskt val, och i dagsläget är det oklart vilken väg bolaget väljer. Det gör beslutet desto mer laddat inför de kommande åren.
På den nivå dagens AI arbetar blir traditionella NAND‑baserade SSD:er allt oftare en flaskhals: de har svårt att hänga med i de enorma datamängderna under tung belastning. Som svar söker leverantörer mellanlager mellan NAND och DRAM. Samsungs eget Z‑NAND kan visa sig användbart på MLS/SLM‑lagret och ge en avvägning mellan hastighet och tillförlitlighet.
Mot den bakgrunden seglar HBF upp som nästa heta front på lagringsmarknaden, där ledande minnestillverkare försöker säkra sina positioner innan infrastrukturen når efterfrågetopp. Riktningen är tydlig: den som först får till en trovärdig, heltäckande stack sätter tonen för hur kategorin utvecklas.
Av de uppgifter som finns att tillgå att döma kan ett steg in i högbandbredds‑flash ge Samsung ett verkligt övertag i AI‑infrastruktur. Bolaget sitter redan på byggstenar som Z‑NAND, en komplett kedja för minnestillverkning och kapsling samt en stark position i AI‑serverekosystem – fördelar som underlättar snabb anpassning och leverans av integrerade datacenterprodukter.
Men riskerna är tydliga. Flash släpar fortfarande efter DRAM i latens och tillförlitlighet, marknaden behöver standardisering och ett brett ekosystemstöd, och konkurrenter som SanDisk och SK Hynix driver sina egna konstruktioner framåt. Termiska begränsningar och kostnader kan dessutom bromsa införandet. Om Samsung lyckas avgörs i hög grad av om bolaget kan springa ifrån alternativa spår, från CXL‑moduler till AI‑SSD:er.