Samsung skaliert HBM4/HBM4E: 50% Ausbeute, 5 High-NA-EUV von ASML

Wie TweakTown berichtet, hat Samsung bei HBM4 auf Basis von 1c-DRAM eine Ausbeute von 50 Prozent erreicht und baut die Kapazitäten für die Serienfertigung von HBM4 und HBM4E spürbar aus. Aus Unternehmenskreisen heißt es, Samsung habe fünf High-NA-EUV-Lithographiesysteme der neuesten Generation von ASML gekauft: zwei für das Foundry-Geschäft und drei ausschließlich für den Speichersektor – eine Aufteilung, die einen klaren Schwerpunkt auf HBM erkennen lässt.

Branchenexperten deuten die Entwicklung so, dass Samsung faktisch eine eigene Speicherlinie hochzieht – ein Schritt, der die Massenproduktion von HBM4 beschleunigen und zugleich die Basis für künftige HBM4E und HBM5 legen dürfte. Derzeit liefert die DRAM-Fertigung im Werk Pyeongtaek rund 300.000 Wafer pro Monat, die Kapazität liegt nahe am Limit. Teile der neuen Ausrüstung könnten bei zusätzlichen Bestellungen wichtiger nordamerikanischer Kunden in das Werk in Taylor, Texas umgelenkt werden, was den Hochlauf flexibel hält.