Les Galaxy S26 adopteraient une RAM LPDDR5X à 10,7 Gbit/s et 12 Go minimum. Mais l’Exynos 2600 pourra‑t‑il suivre le Snapdragon 8 Elite ? Selon les régions.
© A. Krivonosov
Le leaker Ice Universe a partagé une nouvelle encourageante pour les fans de Samsung : selon lui, toute la série Galaxy S26 sera dotée de la RAM la plus rapide du moment, de la LPDDR5X annoncée à 10,7 Gbit/s, et cette mémoire serait déjà produite en volume. La configuration minimale évoquée est de 12 Go, un choix qui laisse espérer un gain de réactivité sensible face aux actuels Galaxy S25.
Il existe toutefois une zone d’ombre. Le blogueur tech Abhishek Yadav s’est demandé si l’Exynos 2600 maison pouvait réellement soutenir un tel débit. D’après ses repères, le Snapdragon 8 Elite plafonne à 9,67 Gbit/s, et la prise en charge complète des 10,7 Gbit/s n’apparaîtrait que sur la génération suivante, le Snapdragon 8 Elite Gen 5.
Si l’Exynos 2600 ne parvient pas à exploiter la LPDDR5X à pleine vitesse, les Galaxy S26 pourraient offrir un comportement mémoire différent selon les régions. Samsung a pour habitude d’équiper l’Europe et la Corée du Sud en Exynos, et les États‑Unis ainsi que la Chine en Snapdragon. De quoi raviver, presque mécaniquement, le débat sur la parité de performances entre variantes.