Le futur Snapdragon 8 Elite Gen 6 intégrera la technologie Heat Pass Block de Samsung, inspirée de l'Exynos, pour améliorer les performances thermiques des smartphones haut de gamme.
© D. Novikov
Qualcomm pourrait résoudre l'un des problèmes les plus gênants des smartphones haut de gamme : la surchauffe. Selon des informations internes, le futur Snapdragon 8 Elite Gen 6 intégrera un système de dissipation thermique inspiré des technologies Samsung, emprunté à l'Exynos.
Il s'agit de la technologie Heat Pass Block, ou HPB. Ce bloc de transfert thermique, installé directement sur le processeur, agit comme un radiateur compact. Développé par Samsung, il équipe l'Exynos 2600, une puce qui devrait animer une partie de la gamme Galaxy S26.
Si cette fuite se confirme, Qualcomm pourrait nettement améliorer les performances thermiques de ses puces premium. Cela est d'autant plus pertinent que les récents modèles haut de gamme basés sur Snapdragon surchauffent souvent sous charge, ce qui entraîne une baisse rapide des fréquences et une perte de performances. Les fabricants ont déjà testé des ventilateurs, mais le refroidissement actif impacte l'autonomie et complique l'étanchéité.
Il est intéressant de noter que des rumeurs sur la volonté de Samsung de licencier la HPB à des tiers ont émergé il y a quelques mois. Si Qualcomm adopte cette technologie, le Snapdragon 8 Elite Gen 6 pourrait fonctionner de manière bien plus fraîche que ses prédécesseurs, marquant ainsi la première fois qu'Exynos contribue significativement à l'amélioration d'une plateforme concurrente.