Samsung développe la High Bandwidth Flash pour l’IA et les centres de données

Selon le média sud-coréen fnnews, Samsung Electronics a entamé le développement préliminaire de la High Bandwidth Flash (HBF), une nouvelle famille de mémoire flash à haut débit pensée pour les centres de données et les systèmes d’intelligence artificielle. Le groupe est passé à la phase de conception conceptuelle et de recherche initiale, tandis que les spécifications précises et le calendrier de lancement restent ouverts.

Dans l’industrie, deux approches de la HBF se dessinent. La première, présentée comme une « version NAND de la HBM », a été proposée par SanDisk et bénéficie du soutien de SK Hynix. La seconde vient de Kioxia, déjà montrée sous la forme d’un dispositif PCIe offrant plusieurs téraoctets de capacité et un débit élevé. Ce paysage à double piste oblige Samsung à un choix stratégique, et pour l’heure, l’orientation retenue demeure incertaine.

À l’échelle de l’IA actuelle, les SSD classiques basés sur la NAND deviennent de plus en plus un goulot d’étranglement: ils peinent à suivre des volumes de données massifs sous des charges soutenues. En réponse, les fournisseurs explorent des niveaux intermédiaires entre la NAND et la DRAM. La Z‑NAND de Samsung pourrait trouver sa place au niveau MLS/SLM, en recherchant un équilibre convaincant entre vitesse et fiabilité.

Dans ce contexte, la HBF s’impose comme le prochain terrain majeur du marché du stockage, les leaders de la mémoire cherchant à verrouiller leur position avant le pic de la demande en infrastructures. La direction est claire: celui qui parviendra le premier à bâtir une pile de bout en bout crédible orientera la manière dont cette catégorie va mûrir.

À en juger par les éléments disponibles, l’entrée sur la flash à large bande passante pourrait conférer à Samsung un véritable atout dans l’infrastructure dédiée à l’IA. L’entreprise dispose déjà de briques comme la Z‑NAND, d’une chaîne complète de fabrication et de packaging mémoire, ainsi que d’un solide ancrage dans les écosystèmes de serveurs IA — autant d’avantages qui facilitent une adaptation rapide et la livraison de solutions intégrées pour les centres de données.

Les risques, toutefois, sont bien identifiés. La flash reste en retrait face à la DRAM en matière de latence et de fiabilité; le marché devra passer par une normalisation et un large soutien de l’écosystème; et des concurrents comme SanDisk et SK Hynix avancent leurs propres conceptions. Les contraintes thermiques et les coûts pourraient aussi freiner l’adoption. Le succès de Samsung dépendra de sa capacité à devancer les voies alternatives, des modules CXL aux SSD dédiés à l’IA.