Samsung запускает разработку HBF-флэш-памяти для центров обработки ИИ.
Samsung разрабатывает память нового типа для ИИ
Фото: © A. Krivonosov
По данным южнокорейского издания fnnews, Samsung Electronics начала раннюю стадию разработки HBF (High Bandwidth Flash) — нового типа высокоскоростной флэш-памяти, ориентированной на потребности центров обработки данных и систем искусственного интеллекта. Компания приступила к концептуальному проектированию и предварительным исследованиям, однако точные спецификации и сроки выхода продукта пока не определены.
В индустрии сегодня существует два подхода к HBF: так называемая «NAND-версия HBM», предложенная SanDisk и поддержанная SK Hynix и решение Kioxia, демонстрировавшееся ранее как PCIe-устройство с многотерабайтной ёмкостью и высокой скоростью. Пока не ясно, какое направление выберет Samsung.
Для масштабных ИИ-систем привычные SSD на базе NAND всё чаще становятся узким местом — они не успевают обрабатывать колоссальные объёмы данных при высоких нагрузках. В этом контексте вендоры ищут промежуточные решения между NAND и DRAM. У Samsung есть собственная наработанная технология Z-NAND, которая может сыграть ключевую роль на промежуточном уровне памяти MLS/SLM, обеспечивая баланс между высокой скоростью и надёжностью.
Таким образом, HBF рассматривается как следующий «горячий фронт» рынка хранения данных, где ведущие производители памяти намерены занять позиции ещё до того, как спрос со стороны инфраструктуры достигнет пика.
Проанализировав все данные отметим, что выход на новый рынок высокополосной флеш-памяти может дать компании серьёзное преимущество в сегменте ИИ-инфраструктуры. У неё уже есть база в виде технологий Z-NAND, полный цикл производства памяти и упаковки, а также сильные позиции в экосистеме серверных решений для искусственного интеллекта. Всё это позволяет Samsung быстрее адаптироваться и предлагать комплексные продукты для дата-центров.
Однако рисков тоже немало: флеш-память уступает DRAM по задержкам и надёжности, требуется стандартизация и поддержка экосистемы, а конкуренты вроде SanDisk и SK Hynix уже работают над собственными решениями. Кроме того, тепловые ограничения и высокая стоимость могут замедлить внедрение. Успех Samsung будет зависеть от того, удастся ли ей превзойти альтернативные подходы — от CXL-модулей до AI-SSD.
Ранее издание Пепелац Ньюс сообщало, что Intel наладила массовый выпуск чипов по технологии 18A.