Китайские учёные создали сверхтонкий гибридный чип, сочетающий кремний и двумерные материалы.
В Китае разработали гибридный чип — кремний встретился с материалом толщиной в один атом
Фото: © D. Novikov
Исследователи из Фуданьского университета (Шанхай) сообщили о прорыве в разработке сверхтонких чипов нового поколения. Им удалось интегрировать атомарно тонкий слой памяти непосредственно в стандартный кремниевый CMOP-чип, что ранее считалось невозможным.
Разработка, опубликованная в журнале Nature, основана на технологии Atom2Chip, которая позволяет соединить двумерные материалы — такие как дисульфид молибдена (MoS₂) — с кремнием без повреждений. Это открывает путь к созданию ультратонких, энергоэффективных и более быстрых микросхем.
Команда под руководством профессора Чунсена Лю представила полностью рабочий прототип: чип флэш-памяти 2D NOR объёмом 1 Кб, работающий на частоте 5 МГц. Он демонстрирует скорость операций всего 20 наносекунд при низком энергопотреблении и уже превосходит традиционные кремниевые аналоги по плотности и эффективности.
Учёные считают, что подобный подход можно масштабировать и для логических схем и процессоров, что в перспективе позволит создавать ультратонкие гаджеты, носимые устройства и ИИ-ускорители нового поколения.
Хотя массовое производство пока остаётся сложной задачей, этот экспериментальный успех называют шагом к новой эре электроники, где границы миниатюризации определяются уже не нанометрами, а атомами.