IBM и Samsung преодолели барьер в 1 нм в создании микропроцессоров
Технология позволит обойти закон Мура и, в частности, создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки.
Евгений Карапузов
Компании IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем. Сообщается, что партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — конструкцию чипов, в которой часть компонентов установлена перпендикулярно друг другу.
Отмечается, что уже на первом этапе разработки данная система оказалась способна удвоить производительность микросхем или снизить их электропотребление на 85%. Кроме того, технология позволит обойти закон Мура и, в частности, создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки.
Разработка радикально отличается от современных моделей, в которых транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону.
Система, получившая название VTFET, дает два ключевых преимущества для потенциальных клиентов Samsung и IBM. В первую очередь она позволит обойти ограничения производительности и в будущем расширит закон Мура — авторы намерены выйти за пределы существующей технологии нанолистов. Также разработка позволит снизить энергопотребление будущих микросхем на 85%.